110-я серия это первые в СССР полупроводниковые интегральные микросхемы. Микросхемы резисторно-конденсаторной транзисторной логики изготовлены на основе планарной технологии, разработанной в НИИ-35 (затем переименованный в НИИ «Пульсар»).
В 1961 г. Fairchild Semiconductor запатентовала технологию изготовления интегральных схем (ИС), которая в дальнейшем произвела в электронной отрасли настоящую техническую революцию. Центральная идея этой технологии, называемой «планарной» (в математике «планарность» означает геометрический образ, который можно нарисовать на плоскости без пересечения линий), состоит в том, что проект ИС первоначально представляется в виде комплекта рисунков. Затем эти рисунки последовательно «переводятся» в кристалл полупроводникового материала с помощью различных физико-химических процессов: эпитаксиального выращивания тонких плёнок металлов и полупроводников, их травление, введение легирующих примесей и т.д. При изготовлении полупроводниковых микросхем требуется неоднократное проведение фотолитографического процесса с воспроизведением на исходной пластине монокристаллического кремния совмещающихся между собой различных рисунков (фотошаблонов). Элементы будущей ИС создаются посредством легирования, то есть внедрения в исходную пластину различных примесей и их распределения по требуемому объему. Основным методом легирования является диффузия парами гидрида фосфора, мышьяка или бора при температуре 1100-1200 oС. Точность поддержания температуры, постоянство концентрации примеси у поверхности пластины, длительность процесса отжига определяют распределение примеси по толщине пластины и соответственно точные параметры формируемых элементов.
В октябре 1961 году фирма Texas Instruments анонсировала создание планарных интегральных микросхем серии SN-51, а с 1962 года начала их серийное производство. Изначально в серии было выпущено 6 микросхем SN510-SN515. Производственные образцы микросхем TI для воспроизводства электронной промышленностью СССР были получены из США. Разработка включала шесть типовых интегральных кремниевых планарных схем серии ТС-100 (впоследствии ставшей 110 серией) и с организацией опытного производства заняла в НИИ-35 три года (с 1962 по 1965 год). Ещё два года ушло на освоение заводского производства во Фрязино на заводе «Электронприбор» (1967 год).
| SN51 TI | 110 серия | ||||
| SN510 | R-S Flip-flop/Counter | RS-триггер | ИС110 | 1ТК101 | 110ТК1 |
| SN511 | R-S Flip-flop/Counter with Emitter-follower Output | RS-триггер с повышенной нагрузочной способностью | ИС120 | 1ТК102 | 110ТК2 |
| SN512 | 6-input NAND/NOR Gate | Логический элемент «6ИЛИ-НЕ/И-НЕ» | ИС130 | 1ЛБ101 | 110ЛБ1 |
| SN513 | 6-input NAND/NOR Gate with Emitter-follower Output | Логический элемент «6ИЛИ-НЕ/И-НЕ» с повышенной нагрузочной способностью | ИС140 | 1ЛБ105 | 110ЛБ5 |
| SN514 | Dual 3 — input NAND/NOR Gate | Два логических элемента «3ИЛИ/И» | ИС150 | 1ЛБ109 | 110ЛБ9 |
| SN515 | EXCLUSIVE — OR Gate | Исключающее «ИЛИ» | ИС160 | 1ИЛ101 | 110ИЛ1 |
Именно эти шесть микросхем были скопированы под номерами ИС110-160, которые позже стали 1ТК10Х (110ТКХ), , 1ЛБ10Х (110ЛБХ) и 1ИЛ101 (110ИЛ1).
Дальше Texas Instruments расширила номенклатуру серии SN-51 . Из них я смог найти лишь три аналога в 110 серии. Правда, нет полной уверенности в том, что именно ИС142 потом стала 110ЛБ14.
| SN516 | Dual 2 — input NAND/Nor Gate and Inverter/Buffer | Два логических элемента 2И-НЕ/ИЛИ-НЕ и инвертор | ИС153 | 1ЛБ1010 | 110ЛБ10 |
| SN517 | Clock Driver | Распределитель тактового сигнала | |||
| SN518 | «One Shot» Monostable Multivibrator | Однотактный моностабильный мультивибратор | |||
| SN519 | Pulse EXCLUSIVE — OR Gate | Импульсное Исключающее ИЛИ | |||
| SN5101 | R-S Flip-flop with Dual Preset | RS-триггер с предустановкой и сбросом | |||
| SN5111 | R-S Flip-flop with Emitter-follower Output and Dual Preset | RS-триггер с предустановкой и сбросом с повышенной нагрузочной способностью | |||
| SN5112 | Ripple-counter Flip-flop (Vcc = 3 to 6 V) | Триггер счетчика импульсов | |||
| SN5113 | Ripple-counter Flip-flop (Vcc = 4 to 6 V) | Триггер счетчика импульсов | |||
| SN5161 | Triple 2 — input NAND/NOR Gate | Три логических элемента 2И-НЕ/ИЛИ-НЕ | ИС132 | 1ЛБ1013 | 110ЛБ13 |
| SN5162 | Triple 2 — input NAND/NOR Gate with Emitter-follower Output | Три логических элемента 2И-НЕ/ИЛИ-НЕ с повышенной нагрузочной способностью | ИС142?? | 1ЛБ1014 | 110ЛБ14 |
В 110 серии были микросхемы, которых не было в ряду SN-51.
| Логический элемент 3ИЛИ-НЕ/И-НЕ | ИС133 | 1ЛБ102 | 110ЛБ2 |
| Логический элемент 4ИЛИ-НЕ/И-НЕ | ИС134 | 1ЛБ103 | 110ЛБ3 |
| Логический элемент 5ИЛИ-НЕ/И-НЕ | ИС135 | 1ЛБ104 | 110ЛБ4 |
| Логический элемент 3ИЛИ-НЕ/И-НЕ с повышенной нагрузочной способностью | ИС143 | 1ЛБ106 | 110ЛБ6 |
| Логический элемент 4ИЛИ-НЕ/И-НЕ с повышенной нагрузочной способностью | ИС144 | 1ЛБ107 | 110ЛБ7 |
| Логический элемент 5ИЛИ-НЕ/И-НЕ с повышенной нагрузочной способностью | ИС145 | 1ЛБ108 | 110ЛБ8 |
| Два логических элемента 2И-НЕ/ИЛИ-НЕ с двумя выходами | ИС154 | 1ЛБ1011 | 110ЛБ11 |
| Трехвходовый и двухвходовый ИЛИ-НЕ/И-НЕ с двумя выходами | ИС155 | 1ЛБ1012 | 110ЛБ12 |
| Инвертор | 1ЛН101 | 110ЛН1 | |
| Инвертор с эмиттерным повторителем | 1ЛН102 | 110ЛН2 | |
| Два инвертора | 1ЛН103 | 110ЛН3 |