Микросхемы ПЗУ с УФ-стиранием и  электрической записью.

                                                                          MB8518H.

 8192-битная микросхема памяти с УФ-стиранием и  электрической записью. Изготовлена по NMOS техпроцессу, совместима по выводам с микросхемой MB8308 — масочным ПЗУ. Организация памяти 1024*8 бит. Выпускалась в двух вариантах:

MB8518E-время выборки после установки адреса — 650 нс, MB8518H — 450 нс. Взаимозаменяема с Intel 2708.

В маркировке использован старый логотип Fujitsu. 

                                                                           MB8516.

По моему мнению, аналогична MBM2716, представленной ниже. Возможно, что предназначена для использования в изделиях самой фирмы. По внутренней классификации Fujitsu, на цифру «8» начинается маркировка микросхем, выполненных по МОП технологии, вторая цифра «5» относится к микросхемам памяти с УФ-стиранием информации.

MB8516-время выборки после установки адреса — 450 нс, MB8516H — 350 нс.

Фотография кристалла MB8516. Хорошо заметны надписи "Fujitsu" и "8516".

                                                                           MBM2716.

 16384-битная микросхема памяти с УФ-стиранием и  электрической записью. Изготовлена по NMOS техпроцессу.

Организация памяти 2048*8 бит. Выпускалась в трех вариантах:

MBM2716-время выборки после установки адреса — 450 нс, MBM2716H — 350 нс, MBM2716-X — 450 нс. Последняя имеет расширенный температурный диапазон от — 40 до +85 градусов. Взаимозаменяема с Intel 2716.

MB8516.

MBM2716.

MBM2716.

MBM2732A.

MBM2764-30.

 

 

Однократно программируемые микросхемы ПЗУ (Read only memory).

MB7052.

MB7055.

MB7138E.